Следующий флагманский процессор Qualcomm, как и актуальный Snapdragon 820, будет производиться на заводах Samsung. Об этом написал китайский публикатор утечек, утверждавший ранее, что Snapdragon 830 создадут по 10‑нм техпроцессу.
В прошлом месяце появились данные о поддержке чипом работы с оперативной памятью объемом до 8 ГБ.
Вряд ли даже в 2017 году, в начале которого якобы планируется выпуск первых смартфонов со Snapdragon 830, указанный лимит достигнет хоть один гаджет.Недавно Samsung официально объявила, что актуальный флагманский чип Qualcomm создадут по 14‑нм техпроцессу FinFET второго поколения. То же касается собственного флагманского Exynos. По замерам Samsung, некоторые изменения позволили сделать такие процессоры на 15% эффективнее в энергопотреблении и настолько же производительнее.
[via Fone Arena]